Bộ đôi Samsung Galaxy S7 và S7 Edge được trang bị rất nhiều công nghệ tiên tiến, tuy nhiên, một thiết xót duy nhất đó chính là công nghệ sạc nhanh Quick Charge 3.0 với những cai thiện vượt trội về tốc độ sạc. Tại phiên bản Exynos 8890, chúng ta ghi nhận Samsung chỉ trang bị Quick Charge 2.0 cho Galaxy S7/S7 Edge và những nghi vấn về bản Snapdragon 820 sẽ sử dụng Quick Charge 3.0. Tuy nhiên, trên thực tế, phiên bản chạy vi xử lý cao cấp nhất của Qualcomm cũng không sử dụng công nghệ sạc nhanh này.
Công nghệ sạc nhanh Quick Charge 3.0
Quick Charge 3.0 là công nghệ kế nhiệm của Quick Charge 2.0 do Qualcomm phát triển. Công nghệ này được tích hợp trên các chip Snapdagon 820, 620, 618, 617 và 430, nhiều khả năng sẽ có thêm những con chip mới như 435 hay 652. Công nghệ này cũng đã có mặt trên một số mẫu điện thoại hàng đầu như LG G5, HTC One A9, LeEco Le Max Pro và Xiaomi Mi 5.
Tốc độ sạc của Quick Charge 3.0 hiệu quả hơn phiên bản 2.0 tới 38%, nhanh gấp 2 lần so với 1.0 và 4 lần so với sạc thông thường. Theo lý thuyết, công nghệ sạc mới sẽ giúp các smartphone đạt 80% dung lượng pin chỉ trong vòng 35 phút. hông chỉ sạc nhanh hơn, Quick Charge 3.0 cũng rất tiết kiệm năng lượng nhờ ứng dụng công nghệ INOV (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage). Công nghệ này cho phép các thiết bị có thể yêu cầu đúng mức điện năng cần thiết. Ví dụ, Quick Charge 2.0 chỉ cấp các mức năng lượng như 5V, 9V, 10V hay 20V, trong khi đó, Quick Charge 3.0 chia nhỏ các mức này xuống mức 200mV, kéo dài từ 3.6 đến 20V, giúp cua sạc tiết kiệm được nhiều pin hơn.
Ngoài ra, Quick Charge 3.0 còn nhắm tới việc hỗ trợ các chuẩn kết nối thông dụng hiện nay như USB Type-A, microUSB, USB-Type C và tương thích ngược với các chuẩn sạc nhanh cũ như Quick Charge 2.0 và Quick Charge 1.0 và phần lớn sạc USB hiện nay. Tuy nhiên, để hiệu quả cao nhất cả thiết bị lẫn sạc cũng phải được hỗ trợ. Qualcomm hy vọng hệ thống thiết bị, phụ kiện hỗ trợ Quick Charge 3.0 sẽ được nhân rộng trong thời gian tới.
Theo đại diện của Qualcomm, Quick Charge 3.0 hoạt động hoàn hảo hơn với các thiết bị sở hữu dung lượng pin lớn và khả năng bảo vệ pin của công nghệ này là rất ấn tượng.
Tại sao Samsung không trang bị Quick Charge 3.0 cho Galaxy S7, S7 Edge?
Trong sự kiện giới thiệu vi xử lý Snapdragon 820 do Qualcomm tổ chức, một câu hỏi đã được đặt ra dành cho đại diện của hãng là việc Xiaomi Mi 5 khá nóng khi sạc và sản phẩm này cũng được trang bị công nghệ Quick Charge 3.0.
Ngay cả bản Snapdragon 820, Samsung cũng không trang bị Quick Charge 3.0. Ảnh: Android Central
Đại diện của Qualcomm cho rằng việc thiết bị rất nóng là do những nguyên nhân khác, không đơn thuần do Quick Charge 3.0. Vị này cũng cho giới truyền thông Việt Nam cầm thử thiết bị đang được sạc nhờ công nghệ này và quả thật nó không hề nóng. Tuy nhiên, một thắc mắc nhỏ được đặt ra đó là thiết bị đã được sạc 100% và với cơ chế bảo vệ, việc hạn chế dòng đã được kích hoạt, nhiệt độ đã giảm xuống. Thiết bị chỉ bị nóng lên trong quá trình sạc mà thôi.
Thử nghiệm thực tế, Samsung Galaxy S7 khá nóng cho dù sử dụng Quick Charge 2.0, lưu ý, máy đang ở trạng thái nghỉ, không khởi động bất kỳ một ứng dụng nào. Bởi vậy, những nghi vấn về tỏa nhiệt lớn, gây tổn hại đến pin khi sạc nên Samsung không trang bị Quick Charge 3.0 cho bộ đôi sản phẩm mới. Đứng trước những thắc mắc này, đại diện Qualcomm cho biết việc này phụ thuộc vào Samsung và có thể, Galaxy S7 được phát triển trước khi công nghệ sạc nhanh của hãng được đưa ra. Đây có thể coi là một giải thích hợp lý dành cho điều này.
Nhiều khả năng tới đây, Galaxy Note 6 sẽ được trang bị Quick Charge 3.0, phù hợp với dung lượng pin lớn và hiệu quả sử dụng năng lượng tốt hơn.
Những công nghệ ấn tượng Qualcomm trang bị trên Snapdragon 820
(Techz.vn) Ngoài hiệu năng, vi xử lý Snapdragon 820 được trang bị rất nhiều công nghệ mới, mở ra một tương lai mà trải nghiệm người dùng được đưa lên mức hoàn hảo, đồng thời, smartphone hay tablet sẽ trở thành một trung tâm kết nối, giải trí mạnh mẽ nhất, tiệm cận với cấp độ một chiếc máy tính.
