Samsung Electronics đã thông báo rằng, họ đã bắt đầu chuyển sang sản xuất hàng loạt chip nhớ DRAM thế hệ thứ 2 tiến trình 10-nanomet. LPDDR4X DRAM có hiệu suất tăng gấp đôi và mức tiêu thụ pin thấp có thể làm tăng tốc độ smartphone trong khi dung lượng pin của máy lại được tiết kiệm.
So với các chip bộ nhớ DRAM di động được sử dụng nhiều nhất trên các thiết bị di động hàng đầu hiện nay là LP-DR4X 1x-nm. DRAM LPDDR4X thế hệ 2 có khả năng giảm 10% điện năng tiêu thụ trong khi vẫn duy trì tốc độ dữ liệu tương đương là 4.266 (Mb/s).
“Sự ra đời của DRAM di động 10nm sẽ cho phép nâng cao đáng kể hiệu suất cho các mẫu flagship hàng đầu sắp ra mắt của hãng vào cuối năm nay hoặc đầu năm 2019”. Sewon Chun, phó chủ tịch bộ phận phân phối và tiếp thị tại Samsung Electronics nói. “Họ sẽ tiếp tục phát triển dòng sản phẩm DRAM cao cấp của mình, để dẫn đầu phân khúc bộ nhớ hiệu suất cao, công suất cao và ít tiêu tốn năng lượng nhằm đáp ứng nhu cầu thị trường và tăng cường khả năng cạnh tranh kinh doanh của Samsung”.
Samsung cho biết họ đã tạo ra DRAM 8GB LPDDR4X bằng cách kết hợp bốn chip nhớ DRAM LPGDR4X 2GB. Bốn DRAM này tạo ra tốc độ dữ liệu 34,1GB/s và độ dày của nó đã giảm hơn 20% so với bộ nhớ RAM thế hệ đầu, cho phép các thiết bị di động có thể mỏng hơn nhưng hoạt động hiệu quả hơn.
Việc sản xuất hàng loạt DRAM 8Gb LPDDR4X 10nm đầu tiên sẽ được Samsung bắt đầu vào tháng 11 và tiếp tục với chip nhớ di động LPGDR4X 16GB này chỉ sau tám tháng. Điều này khẳng định việc các thiết bị như Samsung Galaxy S10 và Galaxy Note 10 ra mắt vào năm sau chắc chắn sẽ được trang bị bộ nhớ cao cấp nhất của hãng. Đảm bảo sẽ biến chiếc máy này thành những thiết bị smartphone mạnh nhất thế giới.
Theo: Samsung
Lo sợ bán ế, Samsung sẽ tặng thêm phụ kiên khi mua Galaxy Note 9
(Techz.vn) Đã rất gần đến ngày 9/8 Samsung Galaxy Note 9 được ra mắt, đã có thông tin cho rằng Samsung sẽ tặng kèm những chiếc Gear S3, đế sạc không dây hoặc Gear iconX để kích thích người mua.
