Nhà sản xuất điện thoại thông minh Trung Quốc Realme đã sẵn sàng ra mắt Realme GT 3 240W trong Đại hội Thế giới Di động (MWC) 2023 vào ngày 28/2 tại Barcelona, Tây Ban Nha. Tuy nhiên, trước khi ra mắt, điện thoại đã xuất hiện trên trang web Geekbench với chipset Qualcomm Snapdragon 8 Gen 1 và cũng được phát hiện trên một số trang web chứng nhận khác.
Điểm nổi bật nhất của Realme GT 3 là hỗ trợ sạc nhanh 240W, lần đầu tiên được thấy trong Realme GT Neo 5 mà công ty giới thiệu rằng có thể sạc đầy 100% pin chỉ trong vòng chưa đầy 10 phút.
Realme GT 3 240W trên Geekbench
Tên mã RMX3709 của Realme GT 3 đã xuất hiện trong cơ sở dữ liệu điểm chuẩn Geekbench 5. Nó đạt 1265 điểm trong bài kiểm tra đơn lõi và 3885 điểm trong bài kiểm tra đa lõi. Danh sách điểm chuẩn cũng cho biết điện thoại đi kèm bộ xử lý Qualcomm tám lõi và GPU Adreno 730 nên Realme GT 3 sẽ được cung cấp sức mạnh từ chipset Snapdragon 8 Gen 1. Ngoài ra, danh sách cho thấy điện thoại sẽ có RAM 16GB và sẽ được cài đặt sẵn Android 13.
Thông số kỹ thuật dự kiến của Realme GT 3 240W
Realme GT 3 sẽ ra mắt với màn hình AMOLED 6,74 inch 1,5K, tốc độ làm mới 144Hz. Điện thoại sẽ có thiết lập 3 camera sau gồm camera chính 50MP, camera phụ 8MP + 2MP. Nhiều khả năng nó sẽ được trang bị camera trước 16MP. Điện thoại có thể ra mắt với hai phiên bản pin: 4500mAh đi kèm sạc 240W và 5000mAh đi kèm sạc 150W.
Gần đây, công ty đã chứng minh rằng Realme GT 3 có thể sạc đầy 100% pin trong 9 phút 37 giây (điều kiện phòng thí nghiệm). Thậm chí, nó có thể sạc từ 1% - 20% chỉ trong 80 giây.
Hình ảnh hé lộ iPhone 15 thực sự sẽ có sạc USB-C như Galaxy S23 Ultra
Đúng như các dự đoán gần đây, iPhone 15 sẽ có thể đi kèm tới hai thay đổi lớn về màn hình và cổng sạc.
