Vua hiệu năng tầm trung lộ diện với màn hình lớn như Galaxy S24 Ultra, pin trâu 5.500 mAh và sạc nhanh 120W
Realme GT Neo 6 sắp ra mắt sẽ là điện thoại chạy Snapdragon 8s Gen 3 có sạc nhanh nhất hiện nay.
Realme vẫn chưa tiết lộ ngày ra mắt chính thức GT Neo 6 tại Trung Quốc nhưng thông số kỹ thuật của điện thoại đã chính thức được liệt kê trên trang thương mại điện tử HD Mall của Trung Quốc. Thông tin giới thiệu xác nhận chipset, tốc độ sạc và cấu hình lưu trữ của Realme GT Neo 6.
Realme GT Neo 6 được trang bị chipset Snapdragon 8s Gen 3 kết hợp với bộ nhớ 1TB. Điện thoại cũng được xác nhận đi kèm sạc nhanh 120W, trở thành điện thoại sử dụng chip Snapdragon 8s Gen 3 có sạc nhanh nhất hiện nay. Chi tiết về pin của nó vẫn chưa được tiết lộ nhưng Realme GT Neo 6 được cho là sẽ có viên pin 5.500 mAh.
Điện thoại tầm trung Realme sẽ có màn hình AMOLED lớn 6,78 inch, độ phân giải 1,5K với tần số quét 120Hz và độ sáng tối đa 6.000 nits. Đây chính là thông số kỹ thuật của Realme GT Neo 6 SE ra mắt tại Trung Quốc vào tháng trước. Điện thoại cũng dự kiến sẽ ra mắt với RAM LPDDR5x 24GB đi kèm với bộ nhớ UFS 4.0 1TB.
Realme GT Neo 6 được cho là có thông số kỹ thuật tương tự GT Neo6 SE. Nếu đúng là vậy thì điện thoại sẽ có bộ camera kép gồm camera chính 50MP với OIS và camera siêu rộng 8MP. Điện thoại cũng đi kèm camera selfie 32MP, chạy giao diện Realme UI 5 dựa trên Android 14.
-730x487_17112024003736.jpg)
