Khi Intel giới thiệu kỹ thuật cổng kim loại trở cao (HKMG) cùng với phương pháp tạo cổng ở giai đoạn sau (gate-last), đã có một số bất đồng về quan điểm xảy ra trong giới bán dẫn. Intel và đơn vị gia công bán dẫn lớn nhất thế giới, TSMC trở thành những người ủng hộ cho kỹ thuật gate-last. Nhưng IBM, đơn vị đã phát minh ra kỹ thuật gate-first (tạo cổng ở giai đoạn đầu), khăng khăng cho rằng gate-first vẫn rất tốt cho việc sản xuất bán dẫn.
Theo sau IBM là liên minh bán dẫn của hãng này, gồm 2 đơn vị đáng chú ý – Global Foundries (GF) và Samsung – cho biết họ vẫn tiếp tục sử dụng kỹ thuật gate-first nhưng sẽ không “quên” việc nghiên cứu phương pháp gate-last. Dù vậy, cả 2 đều phủ nhận những thông tin cho rằng kỹ thuật gate-first hiện đang gặp các sự cố không mong muốn.
Tấn công
Thông tin trên bắt nguồn từ phân tích viên Andrew Lu của Barclays Bank. Người này viết :
Đã có sự phân hoá trong công nghệ xử lý wafer khi phải chọn giữa gate-first hay gate-last (cho kỹ thuật HKMG)
Gate-first và gate-last là các thuật ngữ nhằm ám chỉ việc cổng kim loại sẽ được lắng tụ trên wafer trước hay sau giai đoạn tôi luyện (activation anneal) ở nhiệt độ cao trong tiến trình xử lý dòng (flow processing)
Lu nêu vấn đề :
Những người áp dụng kỹ thuật gate-first (bao gồm Sematech và các thành viên liên minh Fishkill như IBM, Infineon, NEC, GF, Samsung, STMicroelectronics và Toshiba) đã gặp phải một số vấn đề
Chúng tôi biết, chúng liên quan sự bất ổn về nhiệt độ, các bước nhảy điện áp ngưỡng (Vt) và sự tăng trưởng lại bên trong các khối cổng, mà điều này rất nghiêm trọng với các PMOS (loại bán dẫn oxide kim loại thế dương) khi xét ở thang đo bề dày oxide điện
Lu “bồi” thêm :
Chúng tôi hy vọng TSMC sẽ vượt qua các đối thủ khi chuyển qua tiến trình 28nm bằng cách dùng kỹ thuật HKMG gate-last
