Samsung thường sử dụng công nghệ sạc nhanh Adaptive Fast Charge của riêng họ cho cả các phiên bản flagship tích hợp vi xử lý Exynos và Snapdragon. Tuy vậy, nếu hiệu năng của Quick Charge 4+ từ Snapdragon 845 tốt hơn so với Quick Charge 4.0 của người tiền nhiệm Snapdragon 835, Samsung có thể cân nhắc áp dụng công nghệ sạc này cho Galaxy S9 phiên bản chip Snapdragon.
Theo Qualcomm, Quick Charge 4+ sẽ tăng 30% hiệu suất, sạc nhanh hơn 15% và làm thiết bị mát hơn 3 độ C so với chuẩn Quick Charge 4.0. Với khả năng tốc độ sạc cao hơn và an toàn hơn đáng kể của Quick Charge 4+, các thiết bị sử dụng chipset Snapdragon 845 có thể gia tăng dung lượng pin, mà vẫn đảm bảo thời gian sạc từ 0% pin đến 100% chỉ khoảng 1.5 – 2 giờ, thậm chí chỉ còn 1 giờ.
Lợi thế của Quick Charge 4+ so với Quick Charge 4.0
Không chỉ Galaxy S9 của Samsung, dự kiến nhiều flagship cao cấp của năm 2018 đến từ Xiaomi, Huawei hay Sony sẽ được tích hợp Quick Charge 4+ thông qua việc trang bị mẫu chip Snapdragon 845.
Theo: fptshop
